автореферат диссертации по истории, специальность ВАК РФ 07.00.02
диссертация на тему: История развития физики и химии полупроводников в ССР Молдова (1955-1990 гг. )

Полный текст автореферата диссертации по теме "История развития физики и химии полупроводников в ССР Молдова (1955-1990 гг. )"

АКАДЕМИЯ НАУК ССР МОЛДОВА Институт истории им. Я. С. Гросула

На правах рукописи

РАДАУЦАН

Людмила Сергеевна

История развития физики и химии полупроводников в ССР Молдова

(1955-1990 гг.)

07.00.02 — История СССР 07.00.10 — История науки и техники

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата исторических наук

Кишинев — 1990

Работа выполнена в Институте прикладной' физики Академик наук ССР Молдова.

Научные руководители:

академик АН ССРМ, доктор фнз.-мат. наук Гицу Д. В.; доктор исторических наук Тарасов О. Ю.

Официальные оппоненты:

лауреат Государственной премии ССРМ в области науки 1 техники, чл.-кор. АН ССРМ, доктор исторических наук, профес сор Стратиевский К- В.;

доктор ¿рИЗ-МаТ. наук Бурнк А. А.

Ведущая организация: Институт истории естествознания и техники АН СССР. Защита состоится «¿¿¿? » ^199Л. ъ^^ часо!

на заседании Специализированного совета К-012.05.01 в Институ те истории им. Я. С. Гросула АН ССР Молдова по адресу. Киши нев, 277612, пр. Штефана чел Маре, 1.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке АН ССРМ

Автореферат разослан «^-У » 199 ¿7г.

Ученый секретарь Специализированного совета . / ^

кандидат исторических наук /С■ (Х/СХс^ос^ ДАТИЙ Ю. П

" ОНЦАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Современный научно-технический прогресо немыслим без фундаментальных исследований, концентрации сил ученых на приоритетных направлениях науки. Среди них особая роль принадлежат работам по физике твердого тела и полупроводников. Именно они способствуют ускоренному развитию электроники, вычислительной математики, компьютерной и лазерной техники, волоконно-оптических средств связи, устройств записи и хранения информации, экологически безопасных способов получения электроэнергии и т.д.

В историческом плане полупроводниковая электроника сравнительно молодая область науки и техники. Первые сведения о физических явлениях в полупроводниках были получены во второй половине XIX века. Практическое использование полупроводников началось лишь з XX веке. Но несовершенство получаемых в то время полупроводниковых материалов, а также отсутствие необходимых методов их исследования не позволяли всесторонне изучить данный класс веществ. В 1930-х годах в Ленинградском физико-техническом институте по инициативе академика А.Ф.Иоффе были начаты систематические исследования полупроводников. Открытие американскими учеными транзисторного эффекта (1948 г.) привело к революционному повороту в радиотехнике и других областях промышленности.

Дальнейшее совершенствование технологий получения высокочио-тых материалов, теоретические работы, объяснившие ряд фундаментальных свойств полупроводников,привели к быстрому расширению их исследований и выяснению возможностей их применения в приборостроении.

В Молдове исследования по физике и химии полупроводников начались в 1950-х годах в Кишиневском государственном университете на физико-математическом факультете. Позже они были продолжены в АН МССР, Кишиневском политехническом институте, ряде других вузов и организаций республики. Постепенно сформировались научнне школы по таким направлениям как сложные полупроводниковые соединения, узкозонные полупроводники и полуметаллы, стеклообразные материалы. Необходимо подчеркнуть комплексный характер исследований, проводимых в ССР Молдова: от получения материалов до применения их в конкретных приборах и устройствах микро- и оптоэлектро-ники. Все работы ученых республики в данной области координируются Научным Совете»« по проблеме "Физика и химия полупроводников", который был создан в 1977 году.

За прошедшие года молдавоким исследователям удалось достичь ряда фундаментальных результатов в исследовании полупроводников. Среди них: открытие экситонных молекул - биэкситонов (С.А.Москаленко), получение первых гетероструктур на основе бинарных соединений (М.В.Кот, А.В.Симашкевич, Л.М.Панасюк), формулировка теории иногозонных сверхпроводящих сплавов о немагнитными примеояма (Б.А. Москаленко), основополагающие работы по многоквантовым процессам (Ю.Е.Перлин, В.А.Коварокий, Е.П.Покатилов), получение и комплекс- : ное исследование сложных полупроводников (А.М.Андриеш, Д.В.Гицу, С.И.Радауцан, Э.К.Арушанов, С.Д.Шутов, Ф.С.Шишияну и др.). На сегодняшний день эти научные школы получили заслуженное признание как в нашей отране, так и в ведущих иоследовательоких центрах мира, работающих в вышеуказанной области. Однако, обобщающего анализа развития физики и химии полупроводников о позиций историко-научного подхода до настоящего времени не было проведено.

Творческое осмысление опыта прошлого позволяет выявить общие закономерности развития науки, культуры и сделать более эффективными современные изыскания. Этими положениями руководствовался диссертант при выборе темы исследования.

Изученность темы, Ооновным периодам развития исследований в облаоти физики и химии полупроводников в Молдове, а также иото-. кам возникновения научных школ в реопублике поовящены ряд обзоров* и обобщающая монография "Развитие науки в Молдавской ССР"2, где имеетоя раздел "Физика и химия полупроводников". Хронологию организации исследований того или иного клаоса полупроводниковых материалов, эаровдения направлений работ, становления научных школ можно проследить и в монографш "Наука и техника СССР"^.

1. С.И.Радауцан, О.Г.Максимова. Достижения физики и химии полупроводников в Молдавской ССР в 1976-1980 годах.//Изв.АН МССР. Сер.

Физ.-техн. и мат.наук. 1981. № 3. С.21-28} С.И.Радауцан, О.Г.

Максимова, К.Г.Никифоров. vPaзвитиe физики и химии полупроводников в Молдавской ССР.//Изв. АН МССР. Сер .Физ.-техн. и мат. наук.

1986. № 3. С.17-29.

2. Развитие науки в Молдавокой ССР. Кишинев: Штиинца, 1984.

С. 56-66. -

3. . Наука и техника СССР. 1917-1987. Хроника. М.: Наука, 1988.

С.551-57.4.

Информация исторического плана иглеетоя в материалах доклада Т.И.Малиновского на конференции по истории науки и техники рео-публики1 и некоторых трудах по истории республики и города Кишинева2.

Организации и развитию различных направлений науки, в т.ч. полупроводникового материаловедения посвящены монографии и докторская диссертация О.Ю.Тарасова? книги Д.И.Антошока^, а также сборник статей®.

О теоретических и экспертментальных исследованиях, проводимых различными научными центрами, повествуют труды об Академии наук ССРМ6, Кишиневском государственном университете7, Кишиневском политехническом® и Тираспольском педагогическом® институтах.

1. Т.И.Малиновский. К истории развития физических наук в Молдавии. //Из истории науки и техники Молдавии. Матер. Ш Молд.конф. по истории науки и техники. Кишинев: НТО АН МССР, 1969.

С.13-14.

2. История Молдавской ССР: с древнейших времен до наших дней. Кишинев: Штиинца,■1982; История Кишинева (1466-1966). Кишинев: Картя молдовеняскэ, 1966.

3. О.Ю.Тарасов. Наука и ее организация в Молдавской ССР.(1966-1970). Кишинев: Штиинца, 1977; Его же: Формирование и развитие научного потенциала Молдавской ССР. Кишинев: Штиинца, 1987; Его же: История организации и развития науки Советской Молдавии (1924-1961 г.г.). Диссертация ... докт.истор.наук. М., 1984.

4. Д.И.Антонгак. Штиинца ши култура Молдовей Советиче. Кишинэу: Картя молдовеняскэ, 1974; Его же: Динамизм культурного строительства в Советской Молдавии. Кишинев: Картя молдовеняскэ, 1984.

5. Наука Советской Молдавии. Кишинев: Штиинца, 1982.

6. Академия наук Молдавской ССР. Кишинев: Штшнца, 1974; Институт прикладной физики АН ШСР. Кишинев: Штиинца, 1984.

7. П.И.Попружная. Кишиневский государственный университет. Кишинев; Штиинца, 1971.

8. Кишиневский политехнический институт им.С.Лазо. Кишинев: Тим-пул, 1989.

9. Тираспольский государственный педагогический инотитут им.Т.Г. Шевченко. Кишинев: Штиинца, 1980.

О работе отдельных лабораторий полупроводникового профиля напиоаны очерки А.Я.Громова1 и Е.Слепченко2.

О совместной научной деятельности различных учревдешй республики и творческих связях о крупными центрами страны говорится в ряде отатай и книг^, а также диссертационных работах М.И.Дмитриевой4 и И.Д.Мацюка5.

Участию Молдовы в международном сотрудничестве, в т.ч. в области исследований по физике и химии полупроводников, посвящены монографии В.Е.Андрущака6 и кандидатские диссертации С. А.Ма-даевского- , Л.В.Моддован г и др.

В этих работах обзорно отражены отдельные направления исследований, а также деятельность конкретных организаций и ведущих ученых. Однако, история возникновения и развития физики и химии полупроводников в республике, становление научных школ ранее не являлись предметом самостоятельного диссертационного исследования.

1. А.Я.Громов. Постижение истины. Кишинев: Картя молдовеняскэ, 1969.

2. Е.Слепченко. Пульс жизни. Кишинев: Картя молдовеняскэ, 1971.

3. Я.С.Грооул, О.Ю.Тарасов. Роль Академии наук СССР в развитии академичеокой науки Молдавии.//Изв. АН МССР. Сер.общеот.наук. 1975, № I; М.И.Дмитриева. Сотрудничество Модцавской ССР о союзными республиками в народном образовании и науке. Кишинев: Штиинца, 1984.

4. М.И.Дмитриева. Сотрудничество Молдавской ССР с союзными республиками в науке в условиях развитого социализма (1959-1975 г.г.). Диооертация ... канд.истор.наук. Кишинев, 1981.

5. И.Д.Мацюк. Укрепление братского сотрудничества Украины и Мол. давии в области экономики, науки и культуры в годы УШ пятилетки (1966-1970 гг.). Диссертация ... канд.истор.наук. Кишинев, 1981.

6. В.Е.Ацдрутцак. Молдавия в сотрудничестве Советского Союза о социалистическими отранами. Кишинев: Картя молдовеняскэ, 1981; Его же: Советская Молдавия в сотрудничестве СССР с оовободив-пшмиоя и капиталистическими странами. Кишинев: Картя модцове-няскэ, 1987. ^

'7. С.А.Мадиевокий. Культурные и научные овязи и сотрудничество Молдавокой ССР о зарубежными социалистическими странами. Дио-■ оертация ... кавд.иотор.наук. Кишинев, 1969. 6. Л;В.Молдован. Участие Молдавокой ССР в научном и культурном сот

:> Не претендуя на исчерпывающее раскрытие теш, автором сделана попытка обобщить исторический процесс формирования данной области науки в ССРМ, проследить необходимость ее развития, продиктованную научно-техническим прогрессом, выявить взаимосвязи различных организаций и вузов в совместных работах по совершенствованию технологии получения и применения полупроводниковых материалов и приборов.

Цель и задачи исследования. Целью работы является комплексное изучение истории возникновения, становления и развития физики и химии полупроводников в ССР Молдова. Были поставлены оледугацие задачи:

1. Выявить условия зарождения и развития физики и химии полупроводников в СССР. Определить влияние научных центров страны на становление данного направления науки в республике.

2. Рассмотреть этапы развития исследований в Молдове систематизировать основные результаты фундаментальных и прикладных работ.

3. Проанализировать становление школ в области физики и химии полупроводников, а также систему подготовки кадров.

4. Изучить направления совместных исследований специалистов Молдовы , союзных и зарубежных научных центров.

5. Осветить вопросы практической реализации разработок молдавских исследователей.

Научная новизна диссепташщ. Как ухе было отмечено, в исто-рико-научной литературе отсутствовали обобщающие работы по развитию физики и химии полупроводников в Молдове в целом. Анализ истории возникновения отдельных направлений этой области науки, развития исследований от начального этапа до формирования научных школ позволил представить общую картину становления полупроводникового материаловедения в республике.

Исгочниковая база. В процессе разработки теш были ' изучены следующие материалы: оригинальные научные публикации авторов, отчеты лабораторий по теме "Физика и химия полупроводников" АН ССРМ, научно-технические отчеты кафедр и проблемных лабораторий вузов, архивные документы АН ССШ,Модд.Г7,ШШ,ряд диосер-тационных работ, материалы периодической печати, а также публицнс-тика и научно-популярная литература, за многие года.

рудничестве Советского Союза с социалистическими странами Европы. (1966-1975 г.г.). Диссертация ... каяд.иотор.наук. Кишинев, 1986.

Теоретическая и практическая ценность работы состоит в анализе и обобщении с точки зрения истории науки основных исследований по физике и химии полупроводников в ССРМ во взаимосвязи о развитием образования и становлением республиканской Академии наук; выявлении основной тематики научных школ республики, предопределившей рост научно-исследовательских кадров, подготовку и успешную защиту кандидатских и докторских диссертаций; определении влияния развития научных исследований на становление электронной промышленности республики; оценке научных работ, которые имеют практическую применимость.

Диссертация представляет интерес для специалистов по истории науки, преподавателей и студентов вузов республики, воех, кто интересуется историей своего края. Материалы диссертации могут бить использовшш пра создании трудов по истории ССР Молдова, г.Кишинева, Академии наук ССРМ, вузов и других научных центров республики, а такса при чтении курса лекций по истории науки и культуры.

Апробация -работы. Результаты работы докладывались на I и П республиканских конференциях молодых ученых (Кишинев, 1986,1989), стендовые доклады были представлены на Меадународной конференции по истории науки и техники (Гамбург-Мюнхен, ФРГ, 1989) - в соавторстве - и на УШ Меадународной конференции по тройным и многокомпонентным соединениям (Кишинев, 1990).

Публикации. Основные материалы диссертации опубликованы в 8 печатных публикациях, среди которых одна монография в соавторстве. Перечень опубликованных работ приведен в конце автореферата.

Структура и объем. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, выводов, рекомендаций, опиока литературы и архивных источников и приложения. Диссертация содержит 121 страницу машинописного текота и 6 таблиц. Список литературы включает 260 наименований на 22 страницах.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении обоонавываетоя актуальность темы настоящего исследования, ез научная новизна, излагается краткое содержание работы, освещаются ооновныв фундаментальные результаты, полученные исследователями Молдовы.

В первой глава "Исторический путь развития физики и химии ." полупроводников в СССР" рассмотрено возникновение и становление исследований в Ленинградском физико-техническом институте (ЛФТИ) с 1930-х годов. Инициатором этих работ был профессор А.Ф.Иоффе, который предвидел, что использование полупроводниковых материалов откроет широкие возможности перед техникой и промышленностью.

Основными направлениями исследований, проводимых в ЛФТИ в довоенное время,были1:

- электрические явления в полупроводниках;

- фотоэлектрические характеристики;

- эффект выпрямления на контакте металл-полупроводник;

- кинетические явления.

Первыми изучаемыми в ЛФТИ материалами были закись меди, сернистая медь, сернистый свинец, окись цинка, карбид кремния, селен, сернистый таллий и ряд интерметаллических соединений.

Одной из важнейших задач сотрудников ЛФТИ являлооь исследование возможности применения результатов их работ, создание приборов и устройств на основе изученных материалов.. Уже в 1930-е года промышленность страны выпускала фотоэлементы, фотосопротивления, медно-закисные и селеновые выпрямители. Разработкой этих приборов занимались Ю.А.Дунаев, Б.В.Курчатов, Б.Т.Коломиец, А.Л. Левинзон, В.М.Тучкевич, В.П.Шаравский.

А.Ф.Иоффе создал научную школу физиков, отличавшуюся широтой интересов, творческим подходом, взаимопомощью, демократизмом, научной принципиальностью. Школу Иоффе прошли такие крупные впоследствии ученые как П.Л.Капица, Н.Н.Семенов, Я.Г.Дорфман, К.Д. Синельников, И.В.Курчатов, А.А.Алиханов, П.И.Лукирский, Д.В.Ско-бельцин, И.К.Кикоин и др.

После окончания Великой Отечественной войны развитие исследований пошло по следующим направлениям^:

1. Полупроводниковые материалы.

2. Изучение процессов, происходящих в р-п переходах, создание приборов на их основе.

1. Полупроводники (К бО^петига Физтеха). Л.: Наука, 1979. С.6.

2. Воспоминания об А.Ф.Иоффе. Л.: Наука, 1973. С.45.

3. Д.И.Алферов и др. Исследования полупроводников в ФТИ // ФШ. 1968. Т.2. № 10. С.1403.

3. Неравновеоныв электронные процессы в полупроводниках.

4. Перенос нооителей заряда в полупроводниках, термоэлектричество.

5. Экситоны.

В главе приведены основные результаты работ оотрудников ЛФТИ. Отмечено, что исследования по полуцроводникам в 1950-х годах были начаты во многих республиках Советского Союза1. Так на Украине исследования проводились в АН Украинокой ССР, Киевоком госуниверои-тете и педагогическом институте, Одесском гооунивероитете, таких научных центрах как г.Харькова, Черновицком и Ужгородском госуниверситетах, а также в "городах Львове, Донецке, Херсоне, Ивано-Франковске, Каменец-Лодольском и др.

Дан краткий перечень основных направлений полупроводникового профиля, по которым работают ученые АН и вузов Белоруссии, Литвы, Латвии, Эстонии, Азербайджана, Армении, Грузии. Отмечены ■ исследования, проводимые в Сибирском и Уральском отделениях АН СССР, а также ряде научных центров Узбекистана и Туркмении.

Отдельный параграф главы поовящен возникновению химии полупроводников. Это было продиктовано открытием транзистора и последовавшим вслед за этим бурным развитием электроники. Возникли две оонокше задачи:

I) создание сверхчиотых материалов (на несколько порядков выше, чем в металлургии), которые бы обладали необходимыми физическими и химическими характеристиками с высокой стабильностью во времени;

. 2) получение сравнительно малых объемов веществ (не тонн, а граммов и килограммов), однако очень дорогостоящих из-за трудоемкости их технологий.

Первой особенностью химии полупроводников было ее развитие на базе фундаментальных исследований (в академических и отраслевых институтах, вузах).

Второй-особенностью этого направления исследований было то обстоятельство, что оно зарождалось, как правило,, в коллективах физичеокого профиля или работающих по заказам физиков.

Нужно отметить три.крупных блока учреждений, внесших свой .вклад в развитие этих исследований:

I. Б.М.Вул". Физика полупроводников - научное достояние всех союзных республик // ФТП. 1972. Вып.12. С.2317.

1. Физико-технический институт АН СССР им.А.Ф.Иоффе; Ленинградский политехнический институт, Ленинградский электротехнйчео-кий институт, Ленинградский государственный университет.

2. Московский государственный университет, Институт общей и неорганической химии АН СССР им.Н.С.Курнакова, Институт металлургии АН СССР им.А.А.Байкова, Институт неорганической химии СО АН СССР.

3. Отраслевые институты - ГИРЕДМЕТ, ИРЕА, а также вузы -Московский институт стали и сплавов, Московский институт тонкой химической технологии, Воронежский государственный университет.

Многое сделали для развития химии полупроводников академики' А.В.Новоселова, Н.П.Сажин, Ф.А.Кузнецов, чл.-корреспонденты АН СССР Б.А.Сахаров, А.Ю.Малинин, профессора Н.А.Горюнова, Н.П.Луа-ная, Н.Х.Абрикосов, Б.Ф.Ормонт, В.Б.Лазарев, М.Г.Мильвидский, И.И.Тычина, З.С.Медведева, Л.С.Палатник, Я.А.Угай, академик АН БССР Н.Н.Сирога, академик АН АзССР М.И.Алиев, доктора химических наук В.Д.Прочухан, А.С.Борщевский, З.У.Борисова и др.*

После описания каждого конкретного направления исследований в области физики и химии полупроводников, проводимого в СССР, ' приводятся фамилии ученых Молдовы, специализировавшихся по ним впоследствии.

В конце главы рассматривается степень изученности теш, формулируются цели и задачи исследования.

Во второй главе "Основные этапы развития физики и химии полупроводников в СС1М. Становление научных школ" рассматривается зарождение данной области науки в республике, организация системы подготовки кадров, постепенное расширение и углубление исследований полупроводниковых материалов в Кишиневском государственном университете, АН ССМ, Кишиневском политехническом институте и других научных центрах Молдовы.

Становлению полупроводникового материаловедения в республике способствовали ведущие научные центры страны, такие как ЛФТИ АН СССР, ФИАН СССР, ИОНХ СССР, МГУ, ФТИНТ АН УССР и др. Академики Б.М.Вул, А.В.Новоселова, А.М.Прохоров, В.М.Тучкевич, К.И.Алферов, профессора Д.Н.Наследов, Н.А.Горюнова, Б.Т.Коломиец, А.Р.Регель и др. неоднократно посещали Модцову о целью оказания коноульта-

--I

I. Аналитическая химия полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1975.

С.П.

ционной и другой помощи. Первые работы по изучению полупроводников были проведены в Молдове в начале 1950-х годов в Кишиневском государственном университете. Теоретическими исследованиями руководил Ю.Е.Перлин, экспериментальными - М.В.Кот. Первыми изучаемыми материалами были бинарные соединения A2B^, а|в| и А2В®. Были разработаны методы их синтеза, выращивания монокристаллов и пленок, изучены электрические, оптические, фотоэлектрические характеристики, а также влияние примесей на различные свойства этих полупроводников1.

В настоящее время в Молдавском государственном университете на кафедре и в проблемной научно-исследовательской лаборатории $изйки полупроводников, на кафедре электроники и в проблемной научно-исследовательской лаборатории фототермопластической записи, в СКТБ "Оптоэлектроника", а также на кафедре оптики и спектроско-. паи занимается различными аспектами исследования полупроводников. Здесь изучаются физические свойства бинарных полупроводниковых соединений в виде монокристаллов, тонких слоев и гетеропереходов на их основе (под руководством член-корр.АН CCFM, профессора,доктора фиа.-мат.наук А.В.Симашкевича); ведутся работы по фототермо-пласуической записи информации (под руководством профессора, доктора фиа.-мат.наук Л.М.Панаоюка); исследуются оптические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов (под руководством профессора, доктора фаз-мат.наук В.П.Мушинского). Более 1.350 специалистов выпущено кафедрами университета.

С 1959 г. первые исследования полупроводников ведутся в Молдавском филиале АН СССР (с 1961 г. - в АН МССР, о 1964 г. - в Институте прикладной физики АН МССР). Одним из основных направлений исследований стало изучение кристаллических и аморфных веществ, их полупроводниковых, сверхпроводящих и других свойств, а также разработка новых щи боров на их оонове. Сейчас ИПФ АН CCBJ является одним из ведущих центров страны по исследованию полупроводниковых материалов. Научные школы, созданные Т.Н.Малиновским,В.А. Москаленко, С.И.Радауцаном, А.М.Аццриешем, Д.В.Гицу, В.В.Соболевым, С.А.Москаленко, В.А.Поварским и др. широко известны в Совет-оком Союзе и за рубежом До дучеви е полупроводниковых кристаллов, 'тонких пленок а нитей высокого качеовва, а также всестороннее их изучение являются главными задачами института.

I. П.И.Папружная. Кипшневокий государственный университет. Киши-

нев: Штиинца, 1971. С.164-166.

В 1964 г. был ооздан Кишиневский политехнический институт, была начата подготовка специалистов для зарождающихся технических направлений и перспективного развития промышленности: по вычислительной технике, конструированию радиоаппаратуры, электронике, технике связи и информатике. Первые исследования полупроводников в КПИ были посвящены изучению отдельных свойств полупроводников и диаграмм состояния. Сейчао работы по полупроводниковым материалам успешно продолжаются на кафедрах фазики (зав. кафедрой - доцент М.Е.Маринчук), микроэлектронных и полупроводниковых приборов (зав.кафедрой - профессор, доктор фаз.-мат.наук Ф.С.Шишияну), конструирования электронной аппаратуры (зав.каф.-чл.-к.АН ССрМ,д.ф.-м.н. И. Ф.Клисторин) »управляющих систем связи (зав.кафедрой - профессор, доктор физ.-мат.наук Н.Н.Сырбу), в отраслевой научно-исоледовательской лаборатории микроэлектроники (зав.лаб. - канд.физ.-мат.наук В.А.Чумак).

Первый выпуск по специальности "Полупроводниковые приборы" - 21 человек - состоялся в 1970 г. За прошедшие года выпущено более 760 специалистов, которые работают на крупнейших промышленных предприятиях и в ведущих научных центрах республика.

Исследования по полупроводниковому материаловедению проводились и в ряде других вузов республики. В главе рас оказывается о работах ученых Тираопольского государственного педагогического института и Кишиневского сельскохозяйственного инотитута. Опиоаны исследования по созданию полупроводниковых терлоохлзадающих и электрогенерирунцих устройств сотрудниками Молдавского отделения Воеооюзного научно-исследовательского и проектно-конструкторско-го инотитута источников тока. Также отражены разработки промышленного объединения "Мезон" им.60-летия СССР по изготовлению интегральных схем, применяемых в цифровой технике и уотройотвах радиоэлектроники.

Третья гдздд "Современное состояние научных исследований в области полупроводникового материаловедения й твердотельной электроники в АН ССР Молдова" поовящена головному учреждению рео-публики по проблеме "Физика и химия полупроводников". Ученые ИПФ АН ССРМ проводят исследования по трем крупным направлениям:

- получение и исследование многокомпонентных полупроводников, а также их твердых растворов и гетероотруктур для микроэлектроники ;

- выращивание монокристаллов, тонких слоев и микропровода на основе полуметаллов и узкозонных полупроводников, исследование физических явлений, происходящих в них, применение этих материалов дал сенсорных датчиков;

- изучение стеклообразных полупроводников и их применение в оптоэлектронике, в системах записи и хранения информации.

Лаборатория полупроводниковых соединений (зав.лаб. - академик АН ССРМ С.И.Радауцан) специализируется на комплексном изучении различных материалов: узкозонных двойных, широкозонных двойных и тройных, магнитных полупроводников. Сотрудниками лаборатори разработаны новые методы получения сложных полупроводниковых соединений, всесторонне изучены их свойства, ведется направленный поиск новых материалов, необходимых для твердотельной электроники. Большое внимание уделено разработке приборных структур для создания микроэлектронных и термоэлектрических устройств. Например, били созданы интенодаетр и дозиметр ультрафиолетового излучения, кольцевой измеритель температуры и др.

В отделе физических проблем твердотельной электроники' (зав. отд. - академик АН ССРМ Д.В.Гицу) изучают влияние воздействия низких и оверхнизких температур на твердые тела, явления переноса в полуметаллах и узкозонных полупроводниках, кинетические и квантовые размерные эффекты. Исследователями отдела была разработана технология получения микропровода из висмута, сурьмы, тонких нитей теллурида свинца и твердых растворов на его основе. Созданы высокочувствительные термопары, радиационные термоэлементы, лабораторный микрохолодильник, малоинерционные преобра-.зователи различного назначения (измерения давления газа, неое-лективной регистрации излучения и т.п.).

В лаборатории фотоэлектрических свойств полупроводников .(зав.лаб. - академик АН ССРМ А.М.Андриеш) объектами исследования являются халькогенидные стеклообразные полупроводники, гетеропереходы на основе кремния и стеклообразных материалов. Ведутся работы по получению материалов для систем записи и обработки оптической информации, волокон из стеклообразных соединений, тонкопленочных структур для элементов интегрально-оптических схем, исследованию новых материалов для волоконно-оптических линий связи. На основе тонких пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников сотрудниками лаборатории разработан ряд фотоэлектрических микропреобразователей: микрофоторезистор

волоконного типа, фотоэлектрический измеритель площади листьев растений, датчик фотосинтетически активной радиации для изучения процесса фотосинтеза в полевых условиях.

В 1976 г. при ИПФ АН ССИЛ было организовано Специализированное конотруктороко-твхнолагичеокое бюро твердотельной электроники (дир. - доктор физ.-мат.наук Ф.Г.Доника), имеющее целью подготовку предложений для реализации научных разработок.

Вначале научно-техническая тематика СКГБ ТЭ включала, в основном, теш, проводимые в экспериментальных лабораториях физического профиля ИПФ АН ССЩ. Это - выращивание монокристаллических полупроводников типа А^В® (фосфид индия) и создание приборных структур на их основе, получение микропровода из полуметаллов и уэкозонных полупроводников, а также разработка полупроводниковых сенсоров на их основе, выращивание тонких олоев на основе стеклообразных халькогенидов и их применение в системах бессеребряной записи информации.

В дальнейшем в СКТБ ТЭ возникли самостоятельные научно-технические направления: разработка и создание бокскаринтеграто-ров дал записи быстропротеканцих процеооов, разработка электронной аппаратуры для нужд биологии, медицины, сельокого хозяйотва.

В диосертации также рассмотрены научные контакты полупровод-ннковцев Молдовы о ведущими академическими и отраслевыми центрами отраны. Приведены оведения о совместных работах в рамках двух-а многостороннего сотрудничества с институтами Академий наук стран Восточной Европы, а также о научных обменах о физическими институтами развитых стран мира - Францией, Италией, ФРГ, Великобританией, Канадой, Японией и др.

В заключении отмечено, что проведенное исследование позволило выявить закономерности развития физики и химия полупроводников в нашей стране, их влияние на зарождение различных направлений полупроводникового профиля в ССР Молдова.

Работы молдавских ученых в области теории, эксперимента и применения полупроводников получили высокую государственную оценку. Госпремии республики в области науки и техники присуждались коллективам авторов в 1981, 1983, 1987 и 1989 годах.

Анализ материалов по истории развития исследований по физике и химии полупроводников в ССРМ позволяет оделать следующие обобщения.

выводы

1. Установлена историческая преемственность в развитии исследований в такой быстро прогрессирующей области науки как твердотельная электроника, являющейся фундаментом современной информатики, вычислительной техники, новых средств связи и уш-равления. Начиная с 30-х годов нынешнего столетия, Ленинградский физико-технический институт АН СССР стал колыбелью работ в области физики и химии полупроводников. Его руководитель академик А.Ф.Иоффе, ученик К.Рентгена, продолжал научные традиции крупнейших ученых мира Э.Резерфорда (Кембридж, Англия), Н.Бора (Копенгаген, Дания) и др., направлял в зарубежные центры наиболее способных молодых исследователей (П.Л.Капица, А.Я.Френкель и др.), выявлял и поддерживал талантливых людей из всех республик (Д.Н.На-следов, А.П.Александров, В.М.Тучкавич, Б.М.Вул и др.), активно способствовал становлению новых институтов и научных направлений в нашей стране (И.В.Курчатов, В.Е.Лашкарев, С.В.Воноовский, В.Б. Лазарев, Б.П.Константинов и др.).

2. Становление исследований в области физики твердого тела и полупроводников в ССР Молдова стало возможным благодаря помощи ведущих научных центров страны, где в послевоенный период (1950-1965 хт.) прошли аспирантскую подготовку пооланцы республики (Т.И.Малиновский, И.И.Бурдиян, Д.В.Гвду, С.И.Радауцан, А.М.Андриеш, В.А.Москаленко, С.А.Моокаленко, И.П.Молодян, Ф.С.Ши-шияну, С.Д.Шутов и др. Многие крупные ученые физики из разных республик приехали в Кишинев и организовали кафедры в Государственном университете, Политехническом йнотитуте, а также лаборатории в АН МССР (Л.М.Щербаков, Ю.Е.Перлин, И.И.Балог, С.Г.Рыжа-нов, М.А.Павлов, Ю.С.Ляликов, И.Ф.Кписторин, М.В.Кот и др.).

3. Анализ фундаментальных и прикладных работ, выполненных учеными Академии наук и вузов ССР Молдова, позволяет сделать вывод о том, что в республике сформировался крупный научный центр в области физики и химии полупроводников. По состоянию на сегодняшний день можно отметить 5 основных направлений:

- Исследование процессов получения многокомпонентных полупроводников о оптимальным сочетанием физико-химических и физических параметров.

- Исследование явлений переноса в полупроводниках и полуметаллах в магнитных полях, включая квантующие.

- Исследование оптическими и фотоэлектрическими методами энергетической структуры и фононных спектров в криоталлических и аморфных полупроводниках, влияния на них примесей и дефектов.

- Исследование физики генерационно-рекомбинационных явлений в многослойных полупроводниковых структурах.

- Исследование физических основ создания полупроводниковых и шкроэлектронных приборов о высокой надежностью и эффективностью.

По таким направлениям как сложные соединения, узкозонные полупроводники и полуметаллы, халькогенидные стеклообразные материалы сформировались научные школы.

4. Молдавский государственный университет им.В.И.Ленина и Кишиневский политехнический институт им.С.Лазо подготовили более 2.100 специалистов по физике полупроводников. Высококвалифицированными кадрами являются выпускники аспирантуры ИПФ АН CCFM, КПИ д .МолдГУ. Специализированные кандидатские советы работают при ИПФ АН CGPM, МолдГУ, КПИ, а докторский совет - при ИПФ АН ССРМ. Научный потенциал реопублики по полупроводниковому материаловедению ооотоит из более чем 160 кандидатов и 30 докторов наук, 5 членов-корреспондентов и 3 академиков АН. ССРМ.

5. С 1961 г. по 1990 г. ученши республики опубликовано 54 монографии и 50 сборников статей по исследованию полупроводников, было проведено 28 воеооюзных научных форумов по различным вопросам физики и химии полупроводников. Проведение некоторых из них в нашей республике стало доброй традицией. : Все состоявшиеся всесоюзные конференции "Тройные полупроводники и их применение" проходили в Кишиневе (1971,1976,1979,1983,1987). В 1980 г. оостоялаоь У Международная конференция по аморфным-полупроводникам, а в 1990 г. - УШ Международная конференция по тройным я многокомпонентным соединениям.

6. Создание СКТБ ТЭ при ИПФ АН CCFM, СКТБ "Оптоэлектроника" при Молд.ГУ, проблемных лабораторий в ШИ и Молд.ГУ способствовало тому, что результаты научно-иоследовательских работ стали находить практическую реализацию в конкретных устройствах и приборах для промышленности, сельского хозяйотва, а также в фундаментальных исследованиях в области электроники, биологии, медицины.

7. Наличие в вузах базы дЬг подготовки специалистов полупроводникового профиля сыграло существенную роль в организации

и становлении в республике электронной промышленности, в отрои-г тельотве в Кишиневе таких крупных предприятий как "Мезон","Альфа", завода персональных компьютеров, а также предприятий, ио-пользующих продукцию электронной промышленности в своих разработках: заводы "Счетмаш", "Сигнал", "Виброприбор", "Микропровод" и др.

Наряду с достижениями в области физики и химии полупроводников можно подчеркнуть ряд недостатков и нерешенных вопросов. Это объективные моменты, характерные для всех исследований страны и субъективные, присущие нашей республике или конкретному научному направлению.

. Недостаточная связь каучно-исоледовательоких центров АН и вузов о промышленными предприятиями республики и страны. Система финансирования через хозяйственные договора не является устойчивой, в последние 2-3 года она резко нарушена из-за конверсионных процессов в ряде промышленных отраслей.

В результате плохого обеспечения прикладных разработок медленно осуществляется использование результатов фундаментальных исследований как в Молдовы, так и в целом по стране. Многие, новые полупроводниковые материалы и приборы, разработанные и впервые изученные в СССР, часто находят применение в развитых странах (США, Япония, Франция, ФРГ и др.).

Попытки интеграции научного потенциала лабораторий АН и кафедр вузов оказалиоь недостаточно эффективными. Это привело к неполной загрузке уникального оборудования, а также к неравномерному распределению студентов и аспирантов по наиболее важным приоритетным направлениям.

Осуществление научных командировок и стажировок в зарубежные страны в большей чаоти носит разовый характер. Вце не созданы совместные научные творческие коллективы или лаборатории между научными центрами Молдовы и других стран. Проведение мевдународной конференции в г.Кишиневе (сентябрь 1990 г.) может способствовать устранению этого недостатка.

Быстрый рост технологических и исследовательских методов электроники, высокая стоимооть (в значительной мере в иностранной валюте) затрудняет оонащение научных лабораторий современным оборудованием.

Структура научных институтов и лабораторий не является достаточно гибкой, что снижает эффективность и своевременность проведения исследований, возможности быстрого маневра при концентрации творческих сил для выполнения возникающих приоритетных научных тем. По опыту зарубежных отран исоледовательокие институты значительно меньше по численности и лучше оонащены технологическим оборудованием и вычислительной техникой.

Еще мало уделено внимания привитию организаторских навыков руководящим научным кадрам. При достаточно высоком научном уровне руководителей институтов, отделов, лабораторий им не хватает подготовки в области менеджеринга, правовых и экономических знаний, опыта организации и руководства творчеокими коллективами. Недостаточно четко проводится переподготовка научных кадров как в центральных институтах страны, так и в зарубежных отранах. В овязи с последним, не иоключены случаи дублирования тем исследовательских работ, осуществление разработок, которые уже решены в других научных лабораториях.

Еще низка эффективность использования современного дорогостоящего оборудования. Главным недостатке»! являетоя отсутствие системы обучения работы научного и инженерного персонала на новой аппаратуре, чаоты случаи,когда на дорогостоящем приборе умеет работать лишь один иооледователь. Это приводит к простоям, а иногда полной остановке работ на этом оборудовании.

Обобщение научных данных, публикация результатов исследований, написание монографий проводится недостаточно оперативно и, в ооновном, только на руооком языке. Приоритет наших исследователей не всегда защищен авторскими свидетельствами и, в большей мере, не известен зарубежным коллегам. К сожалению, многие научные работники недостаточно владеют иностранными языками и, в первую очередь, английским как языком международных конференций и публикаций в облаоти современной электроники.

РЕКОМЕНДАЦИИ

Для устранения вышеперечисленных недостатков, затрудняющих ускоренное развитие фундаментальных исследований в области полупроводников, и реализации предложений науки в приборостроительную промышленность республики и отраны следует предложить:

1. Изменить структуру исследовательских институтов, приняв за основу немногочисленные по составу коллективы, ориентированные на решение конкретных задач. Гибкость в переориентации тематики может быть достигнута созданием совместных институтов или лабораторий Академии наук, вузов и промышленности ССРМ.

2. Компетентный выбор межведомственными комиссиями приоритетных направлений, определение объемов их целевого финансирования и оперативный контроль за качественным выполнением разработок.

3. Оптимизация подготовки научных кадров, создание системы отбора талантливой молодежи, повышение уровня современных знаний и навыков специалистов, правильное распределение и использование ученых, обеспечение условий для их творческой деятельности.

4. Расширение научных связей с крупнейшими центрами отраны и шра, активизация обменов научными сотрудниками, публикациями, участниками на конференциях.

5. Повышение оперативности в снабжении научным оборудованием, материалами и приборами, целесообразная и полная загрузка уникального оборудования.

6. Разработка экономической системы, стимулирующей передачу учеными своих разработок в промышленность и повышающей заинтересованность предприятий и конструкторских бюро в использовании рекомендаций науки.

Публикации по теме диссертации.

1. С.И.Радауцан, В.А.Радул, Л.С.Радауцан. Роль Н.А.Горшо-вой в организации исследований полупроводниковых материалов в АН MGCP // Изв.АН MGCP. Сер.Физ.-техн. и матем.наук. 1986. гё 2. С.73-74.

2. С.И.Радауцан, В.Б.Лазарев, В.А.Радул, Л.С.Радауцан. Памяти Горюновой Н.А.//Изв.АН СССР. Сер. Неорган.материалы. 1986. т.22. гё II. C.I935-I936,

3. С.И.Радауцан, О.Г.Максимова, Л.С.Радауцан. Значение идей Н.А.Горюновой для развития материаловедения сложных полупроводников // Тезисы докл. УП конф. по процессам роста и синтеза полу- • йроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1986. С.266-267.

4. Л.С.Радауцан. Творческие связи физиков Советской Молдавии и ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР: К 25-летию АН МССР // Молодежь, ¿аука, производство. Тезисы докл.республ.конф.молодых ученых, ¿освященной 25-летаю АН МССР. Кишинев: Штиинца, 1986. С.221.

5. О.И.Радаудан; В.А.Радул, Л.С.Радауцан. Кудеоница алмазо-подобннх полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1907. - 104 о.

6. Л.С.Радауцан. Динамика публикаций моддавоких ученых в области оложных полупроводников // Теаиоы докл. У Воео.конф. "Тройные полупроводники и их применение". Кишинев: Штиинца, 1987. Т.2. С.80.

7. Л.С.Радауцан. Развитие твердотельной электроники в КПИ им. С. Лазо // Молодежь и современная наука. Теаиоы докл. П ре опубл. конф.молодых исследователей. Физ.-мат.науки. Кишинев: Штиинца, 1989. С,79-80.

8. I.S.Hadautsan. International Conferences on Ternary and Multinary Compounds (1973-1990) // Eighth Intern.Conf. on Ternary and Multinary Compounda. Abstracts. Kishinev, 1990. P.192.

' Йодписано в печать 12.II.90. Формат 60x84 I/16. Объем 1,25 печ.л. Отпечатано на ротапринте. Заказ ^ 449. Тираж 100 экз.

Типография шздательстЕа "Штиинца", 277004. г.Кипшнее,ул.П.Мовилэ,8.